삼성, 3D 적층 트랜지스터 첫 구현…"GPU도 위아래 쌓는다"

삼성전자가 반도체 미세화 한계를 극복할 수 있는 차세대 3차원(3D) 적층 트랜지스터(3D Stacked FET) 기술을 업계 최초로 구현했다. 수직 적층형 소자 구조를 적용한 V낸드와 고대역폭메모리(HBM)처럼 로직 반도체(CPU·GPU 등 연산과 제어를 맡는 반도체)에도 이를 현실화할 것이다.수직 적층 구조를 적용하면 같은 면적당 트랜지스터 개수가 두...