삼성 “HBM5부터 차세대 D램 '1d' 적용…베이스 다이 2나노 제조”

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)에 새로운 10나노미터(㎚)급 D램인 '1d'을 탑재한다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 개막한 엔비디아의 연례 개발자회의 'GTC 2026'의 삼성전자 전시장에서 “전체