삼성전자, HBM5 베이스 다이에 2나노 공정 추진…“속도 50% 향상 필요”

삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 베이스다이에 게이트올어라운드(GAA) 기반 2나노(㎚) 공정을 선제 도입한다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 27일 자사 뉴스룸을 통해 “HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다도 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다”며 “베이스 다이에는 동작 속도는 물론 전력 효율 관점에서도 큰 폭의 개선을 이끌어낼 수 있는 최선단 공정을 준비하고 있다”고 밝혔다. 구 부사장은