SK하이닉스, 7세대 HBM 두뇌에 TSMC 3나노 검토… “성능까지 잡는다”

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4E의 두뇌를 담당하는 ‘로직 다이’에 TSMC의 3나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정을 주력으로 활용하는 방안을 유력하게 검토하고 있는 것으로 알려졌다. HBM에 적층되는 D램뿐만 아니라 HBM의 연산 처리를 담당하는 로직 다이에 첨단 공정을 활용하면서 성능에서 우위를 점하겠다는 것으로 보인다. 올해 양산되는 SK하이닉스의 HBM4(6세대 HBM)는 삼성전자와 비교해 일부 성능에서 뒤진다는 평가를 받는 것으로 알려졌다.