반도체 레이저 어닐링 공정 저변 확대…SiC·400단 낸드 적용 추진

반도체 열처리 공정 중 하나인 '어닐링' 수요가 확대된다. 기존 실리콘(Si) 웨이퍼에서 주로 썼던 공정이 차세대 전력 반도체로 꼽히는 실리콘카바이드(SiC)까지 확산하는 추세다. 400단 이상 고단 낸드 등 차세대 메모리와 첨단 시스템 반도체에서도 어닐링 활용이 늘어날 전망이다. 3일 업계에 따르면, SiC 웨이퍼 시장 1위인 울프스피드는 최근 레이저 어닐링 장비 도입을 추진하고 있다. 현재 국내 레이저 어닐링 장비 협력사와 구매주문(PO)을