삼성전자, 차세대 zHBM -세계최초 400단 이상 V10 낸드 공개

미국 FMS 2026 서 AI 시스템 한계 극복할 기술 비전 제시 삼성전자가 AI(인공지능) 시대의 병목을 해소할 차세대 3D(차원) HBM(고대역폭메모리)인 zHBM 과 세계 최초로 400단 이상 쌓아올린 10세대 V-낸드(V-NAND·수직적층 구조 낸드플래시) 모델을 제시했다. 삼성전자는 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 FMS(Future of Memory and Storage) 2026 에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업(Mock-up·제품 형태와 기능을 시각적으로 확인하기 위해 만든 모형)을 업계 최초로 공개했다고 밝혔다....