삼성, HBM4E 성능에 조바심…SK하이닉스 ‘3나노’ 카드 만지작

SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리인 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)의 로직 다이에 대만 TSMC의 3나노(㎚) 공정을 적용하는 방안을 검토한다. 이는 삼성전자가 선점한 성능 우위를 단숨에 뒤집기 위한 전략적 선택이 될 수 있지만, 양산 시점과 비용 등 넘어야 할 산이 많다는 분석이 나온다.업계에서는 SK하이닉스가 양산 예정인 6세대 HBM(HBM4)이 삼성전자보다 성능이 다소 뒤처진다는 평가를 하고 있다. 삼성전자가 HBM4에 자사 파운드리 4나노 로직 다이를 채택하고 1c D램을 적용해 양산에 성공한 반면, SK하이닉