AI가속기 위 에 HBM 쌓는다… 삼성, 차세대 3D 메모리 공개

zHBM, HBM5 대비 최대 8배 성능… 열저항 절반 수준 X·Y축 한계 넘어 Z축 개척… 이동거리 줄여 병목 완화 세계 첫 400단 이상 10세대 V낸드 … 집적도 58% 향상 삼성전자가 AI(인공지능) 시대의 병목을 해소할 차세대 3D(차원) HBM(고대역폭메모리)인 zHBM 과 세계 최초로 400단 이상 쌓아올린 10세대 V-낸드(V-NAND·수직적층 구조 낸드플래시) 모델을 제시했다. 삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열리는 FMS 2026 에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업(Mock-up·제품 형태와 기능을 시각적으로 확인하기 위해 만든 모형)을 업계 최초로 공개했다고 밝혔다....